Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/292842
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorБорздов, А. В.
dc.contributor.authorБорздов, В. М.
dc.contributor.authorБуйновский, Д. Н.
dc.contributor.authorПетлицкий, А. Н.
dc.date.accessioned2023-01-26T10:07:00Z-
dc.date.available2023-01-26T10:07:00Z-
dc.date.issued2022
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 26-29.
dc.identifier.isbn978-985-881-440-3
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/292842-
dc.descriptionСвойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
dc.description.abstractМногочастичным методом Монте-Карло проведено моделирование тока кремниевого фотодиода с p–n-переходом при воздействии импульсов излучения видимого диапазона пикосекундной длительности. Исследован отклик тока диода на импульсы лазерного излучения с длиной волны 532 нм и интенсивностью 5×10 10 Вт/м2
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleМоделирование отклика тока кремниевого фотодиода с p–n-переходом на воздействие импульсов лазерного излучения
dc.title.alternativeSimulation of current response of silicon photodiode with p–n-junction on the effect of pulsed laser irradiation / A. V. Borzdov, V. M. Borzdov, D. N. Buinouski, A. N. Petlitsky
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeEnsemble Monte Carlo simulation of current in silicon photodiode with p–n-junction under the effect of picosecond pulses of irradiation of visible spectrum has been performed. The diode current response on the pulses of laser radiation with 532 nm wavelength and 5·10 10 W/m 2 intensity has been studied
Располагается в коллекциях:2022. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
26-29.pdf468,65 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.