Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292842| Title: | Моделирование отклика тока кремниевого фотодиода с p–n-переходом на воздействие импульсов лазерного излучения |
| Other Titles: | Simulation of current response of silicon photodiode with p–n-junction on the effect of pulsed laser irradiation / A. V. Borzdov, V. M. Borzdov, D. N. Buinouski, A. N. Petlitsky |
| Authors: | Борздов, А. В. Борздов, В. М. Буйновский, Д. Н. Петлицкий, А. Н. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2022 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 26-29. |
| Abstract: | Многочастичным методом Монте-Карло проведено моделирование тока кремниевого фотодиода с p–n-переходом при воздействии импульсов излучения видимого диапазона пикосекундной длительности. Исследован отклик тока диода на импульсы лазерного излучения с длиной волны 532 нм и интенсивностью 5×10 10 Вт/м2 |
| Abstract (in another language): | Ensemble Monte Carlo simulation of current in silicon photodiode with p–n-junction under the effect of picosecond pulses of irradiation of visible spectrum has been performed. The diode current response on the pulses of laser radiation with 532 nm wavelength and 5·10 10 W/m 2 intensity has been studied |
| Description: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292842 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.