Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/337711| Заглавие документа: | Влияние шероховатостей поверхности на дрейфовую скорость электронов в транзисторной структуре с одномерным проводящим каналом |
| Другое заглавие: | The influence of surface roughness on the drift velocity of electrons in a transistor structure with a one-dimensional conducting channel / A. V. Borzdov, V. M. Borzdov, D. V. Pozdnyakov |
| Авторы: | Борздов, А. В. Борздов, В. М. Поздняков, Д. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Квантовая электроника : материалы XV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–20 нояб. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: А. А. Афоненко (гл. ред.), М. М. Кугейко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2025. – С. 270-272. |
| Аннотация: | Исследуется влияние шероховатостей поверхности на дрейфовую скорость электронов в транзисторной структуре с одномерным проводящим каналом на основе GaAs-квантовой проволоки. Перенос электронов моделируется многочастичным методом Монте-Карло. Показана возможность периодического изменения величины дрейфовой скорости электронов в такой структуре под действием переменного затворного напряжения, а также генерации электрических колебаний с удвоенной частотой относительно частоты затворного напряжения |
| Аннотация (на другом языке): | The effect of surface roughness on the electron drift velocity in a transistor structure with a one-dimensional conducting channel based on a GaAs quantum wire is investigated. Electron transport is simulated using the ensemble Monte Carlo method. The possibility of periodically varying the electron drift velocity in such a structure under the effect of an alternating gate voltage, as well as the possibility of generating electrical oscillations with a frequency double that of the gate voltage, is demonstrated |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/337711 |
| ISBN: | 978-985-881-861-6 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2025. Квантовая электроника |
Полный текст документа:
| Файл | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|
| 270-272.pdf | 1,52 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.