Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/337711Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Борздов, А. В. | |
| dc.contributor.author | Борздов, В. М. | |
| dc.contributor.author | Поздняков, Д. В. | |
| dc.date.accessioned | 2025-11-26T12:42:57Z | - |
| dc.date.available | 2025-11-26T12:42:57Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Квантовая электроника : материалы XV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–20 нояб. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: А. А. Афоненко (гл. ред.), М. М. Кугейко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2025. – С. 270-272. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-861-6 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/337711 | - |
| dc.description.abstract | Исследуется влияние шероховатостей поверхности на дрейфовую скорость электронов в транзисторной структуре с одномерным проводящим каналом на основе GaAs-квантовой проволоки. Перенос электронов моделируется многочастичным методом Монте-Карло. Показана возможность периодического изменения величины дрейфовой скорости электронов в такой структуре под действием переменного затворного напряжения, а также генерации электрических колебаний с удвоенной частотой относительно частоты затворного напряжения | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | |
| dc.title | Влияние шероховатостей поверхности на дрейфовую скорость электронов в транзисторной структуре с одномерным проводящим каналом | |
| dc.title.alternative | The influence of surface roughness on the drift velocity of electrons in a transistor structure with a one-dimensional conducting channel / A. V. Borzdov, V. M. Borzdov, D. V. Pozdnyakov | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The effect of surface roughness on the electron drift velocity in a transistor structure with a one-dimensional conducting channel based on a GaAs quantum wire is investigated. Electron transport is simulated using the ensemble Monte Carlo method. The possibility of periodically varying the electron drift velocity in such a structure under the effect of an alternating gate voltage, as well as the possibility of generating electrical oscillations with a frequency double that of the gate voltage, is demonstrated | |
| Располагается в коллекциях: | 2025. Квантовая электроника | |
Полный текст документа:
| Файл | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|
| 270-272.pdf | 1,52 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.