Влияние шероховатостей поверхности на дрейфовую скорость электронов в транзисторной структуре с одномерным проводящим каналом

Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Поздняков, Д. В.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/337711

Title:	Влияние шероховатостей поверхности на дрейфовую скорость электронов в транзисторной структуре с одномерным проводящим каналом
Other Titles:	The influence of surface roughness on the drift velocity of electrons in a transistor structure with a one-dimensional conducting channel / A. V. Borzdov, V. M. Borzdov, D. V. Pozdnyakov
Authors:	Борздов, А. В. Борздов, В. М. Поздняков, Д. В.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
Issue Date:	2025
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Квантовая электроника : материалы XV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–20 нояб. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: А. А. Афоненко (гл. ред.), М. М. Кугейко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2025. – С. 270-272.
Abstract:	Исследуется влияние шероховатостей поверхности на дрейфовую скорость электронов в транзисторной структуре с одномерным проводящим каналом на основе GaAs-квантовой проволоки. Перенос электронов моделируется многочастичным методом Монте-Карло. Показана возможность периодического изменения величины дрейфовой скорости электронов в такой структуре под действием переменного затворного напряжения, а также генерации электрических колебаний с удвоенной частотой относительно частоты затворного напряжения
Abstract (in another language):	The effect of surface roughness on the electron drift velocity in a transistor structure with a one-dimensional conducting channel based on a GaAs quantum wire is investigated. Electron transport is simulated using the ensemble Monte Carlo method. The possibility of periodically varying the electron drift velocity in such a structure under the effect of an alternating gate voltage, as well as the possibility of generating electrical oscillations with a frequency double that of the gate voltage, is demonstrated
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/337711
ISBN:	978-985-881-861-6
Licence:	info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:	2025. Квантовая электроника

Files in This Item:

File	Size	Format
270-272.pdf	1,52 MB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar