Моделирование влияния про­цесса ударной ионизации на перенос электронов в субмикронном МОП-транзисторе

Abstract

The influence of the account of two different variations of Keldysh impact ionization models on the electron drift velocity and kinetic energy in the channel of silicon submicron MOSFET is investigated. = С помощью численного моделирования исследовано влияние ударной ионизации на процессы переноса электронов в канале субмикронного кремниевого полевого транзистора. Рассчитаны за­висимости средней дрейфовой скорости и энергии электронов от координаты вдоль канала в рам­ках моделей мягкого и жесткого порога. Показано, что различие этих моделей наиболее сильно проявляется в области стока транзистора, где наблюдается значительный разогрев носителей заряда.