Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/16708
Заглавие документа: | Моделирование влияния процесса ударной ионизации на перенос электронов в субмикронном МОП-транзисторе |
Авторы: | Галенчик, В. О. Борздов, А. В. Сперанский, Д. С. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | мая-2006 |
Издатель: | БГУ |
Библиографическое описание источника: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2006. - № 2. – С. 44-47. |
Аннотация: | The influence of the account of two different variations of Keldysh impact ionization models on the electron drift velocity and kinetic energy in the channel of silicon submicron MOSFET is investigated. = С помощью численного моделирования исследовано влияние ударной ионизации на процессы переноса электронов в канале субмикронного кремниевого полевого транзистора. Рассчитаны зависимости средней дрейфовой скорости и энергии электронов от координаты вдоль канала в рамках моделей мягкого и жесткого порога. Показано, что различие этих моделей наиболее сильно проявляется в области стока транзистора, где наблюдается значительный разогрев носителей заряда. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/16708 |
ISSN: | 0321-0367 |
Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Располагается в коллекциях: | 2006, №2 (май) |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.