Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/16708
Заглавие документа: Моделирование влияния про­цесса ударной ионизации на перенос электронов в субмикронном МОП-транзисторе
Авторы: Галенчик, В. О.
Борздов, А. В.
Сперанский, Д. С.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: мая-2006
Издатель: БГУ
Библиографическое описание источника: Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2006. - № 2. – С. 44-47.
Аннотация: The influence of the account of two different variations of Keldysh impact ionization models on the electron drift velocity and kinetic energy in the channel of silicon submicron MOSFET is investigated. = С помощью численного моделирования исследовано влияние ударной ионизации на процессы переноса электронов в канале субмикронного кремниевого полевого транзистора. Рассчитаны за­висимости средней дрейфовой скорости и энергии электронов от координаты вдоль канала в рам­ках моделей мягкого и жесткого порога. Показано, что различие этих моделей наиболее сильно проявляется в области стока транзистора, где наблюдается значительный разогрев носителей заряда.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/16708
ISSN: 0321-0367
Располагается в коллекциях:2006, №2 (май)

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
44-47.pdf212,11 kBAdobe PDFОткрыть


gh

Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.