Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/16708
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorГаленчик, В. О.-
dc.contributor.authorБорздов, А. В.-
dc.contributor.authorСперанский, Д. С.-
dc.date.accessioned2012-10-08T10:15:33Z-
dc.date.available2012-10-08T10:15:33Z-
dc.date.issued2006-05-
dc.identifier.citationВестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2006. - № 2. – С. 44-47.ru
dc.identifier.issn0321-0367-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/16708-
dc.description.abstractThe influence of the account of two different variations of Keldysh impact ionization models on the electron drift velocity and kinetic energy in the channel of silicon submicron MOSFET is investigated. = С помощью численного моделирования исследовано влияние ударной ионизации на процессы переноса электронов в канале субмикронного кремниевого полевого транзистора. Рассчитаны за­висимости средней дрейфовой скорости и энергии электронов от координаты вдоль канала в рам­ках моделей мягкого и жесткого порога. Показано, что различие этих моделей наиболее сильно проявляется в области стока транзистора, где наблюдается значительный разогрев носителей заряда.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherБГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleМоделирование влияния про­цесса ударной ионизации на перенос электронов в субмикронном МОП-транзистореru
dc.typeArticleru
Appears in Collections:2006, №2 (май)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
44-47.pdf212,11 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.