Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/302357| Заглавие документа: | Моделирование влияния стокового напряжения на форму потенциального барьера в элементах флеш-памяти |
| Авторы: | Жевняк, О. Г. Борздов, А. В. Борздов, В. М. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2023 |
| Библиографическое описание источника: | Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния : материалы VII Междунар. науч.-практ. конференции, посвященной 120-летию со дня рождения академика Антона Никифоровича Севченко, 18–19 мая 2023 г., Минск / НИУ «Ин-т приклад. физ. проблем им. А. Н. Севченко» БГУ ; [редкол.: Ю. И. Дудчик (гл. ред.), И. М. Цикман, И. Н. Кольчевская]. – Минск, 2023. – С. 294-296. |
| Аннотация: | Представлены результаты моделирования процессов переноса электронов в короткоканальном кремниевом МОП-транзисторе с плавающим затвором, являющимся базовым элементом флеш-памяти. Изучено влияние напряжения на стоке на форму потенциального барьера туннельного оксида, определяющего уровень паразитного туннельного тока в такого рода элементах. Рассчитаны зависимости отношения паразитного туннельного тока к току стока от координаты вдоль проводящего канала транзистора |
| Доп. сведения: | Секция 4. Прикладные проблемы физики конденсированного состояния |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/302357 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Номер, дата депонирования: | №007528082023, Деп. в БГУ 28.08.2023 |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 294-296.pdf | 348,35 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.