Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/302357
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorЖевняк, О. Г.
dc.contributor.authorБорздов, А. В.
dc.contributor.authorБорздов, В. М.
dc.date.accessioned2023-10-02T06:46:54Z-
dc.date.available2023-10-02T06:46:54Z-
dc.date.issued2023
dc.identifier.citationПрикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния : материалы VII Междунар. науч.-практ. конференции, посвященной 120-летию со дня рождения академика Антона Никифоровича Севченко, 18–19 мая 2023 г., Минск / НИУ «Ин-т приклад. физ. проблем им. А. Н. Севченко» БГУ ; [редкол.: Ю. И. Дудчик (гл. ред.), И. М. Цикман, И. Н. Кольчевская]. – Минск, 2023. – С. 294-296.
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/302357-
dc.descriptionСекция 4. Прикладные проблемы физики конденсированного состояния
dc.description.abstractПредставлены результаты моделирования процессов переноса электронов в короткоканальном кремниевом МОП-транзисторе с плавающим затвором, являющимся базовым элементом флеш-памяти. Изучено влияние напряжения на стоке на форму потенциального барьера туннельного оксида, определяющего уровень паразитного туннельного тока в такого рода элементах. Рассчитаны зависимости отношения паразитного туннельного тока к току стока от координаты вдоль проводящего канала транзистора
dc.language.isoru
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleМоделирование влияния стокового напряжения на форму потенциального барьера в элементах флеш-памяти
dc.typeconference paper
dc.identifier.deposit№007528082023, Деп. в БГУ 28.08.2023
Располагается в коллекциях:2023. Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
294-296.pdf348,35 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.