Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
| 2022 | Влияние гамма-квантов на темновой ток кремниевых фотоумножителей с оптической изоляцией ячеек | Огородников, Д. А.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Лемешевская, А. М.; Цымбал, В. С.; Кетько, А. В.; Шпаковский, С. В. |
| 2019 | Влияние ионной имплантации азота на эксплуатационные параметры силовых МОП-транзисторов | Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Челядинский, А. Р.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Шпаковский, С. В. |
| 2023 | Влияние облучения электронами с энергией 4 МэВ на рабочие характеристики кремниевых биполярных транзисторов | Мискевич, С. А.; Комаров, А. Ф.; Ювченко, В. Н.; Ермолаев, А. П.; Шпаковский, С. В.; Богатырёв, Ю. В.; Заяц, Г. М. |
| 2010 | Влияние радиационных дефектов на генерационно-рекомбинационные токи и прямое падение напряжения в кремниевых диодах, облученных ионами криптона с энергией 107 МэВ | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Скуратов, В. А. |
| 2019 | Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импеданс | Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Марочкина, Я. Н.; Шпаковский, С. В. |
| 2008 | Влияние электронного облучения при 300 / 800 К на параметры кремниевых p-n-структур | Коршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Маркевич, В. П.; Мурин, Л. И.; Шпаковский, С. В. |
| 2013 | Диэлектрические потери кремниевых диодов, облученных ионами висмута с энергией 700 МЭВ и ксенона с энергией 170 МЭВ | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В. |
| 2015 | ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ СТРУКТУР Al/SiO2/n-Si, ОБЛУЧЕННЫХ ЭЛЕКТРОНАМИ С ЭНЕРГИЕЙ 3.5 МэВ | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В. |
| 2018 | Емкость в режиме сильной инверсии структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами ксенона | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Скуратов, В. А.; Wieck, A. |
| 2023 | Импеданс дефектных слоев кремния, сформированных в структурах Al/SiO2/n-Si облучением высокоэнергетичными ионами гелия | Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В. |
| 2008 | Импеданс кремниевых p+n-диодов в области микроплазменного пробоя | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Соловьев, Я. А.; Лacтoвcкий, С. Б.; Wieck, А. |
| 2010 | Индуктивность кремниевых диодов, облученных ионами криптона с энергией 250 МэВ | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Соловьев, Я. А.; Скуратов, В. А. |
| 2020 | Исследовать миграцию электронов и дырок в частично разупорядоченном pn-переходе для разработки элемента Пельтье : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Н. А. Поклонский | Поклонский, Н. А.; Вырко, С. А.; Власов, А. Т.; Сягло, А. И.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Ковалев, А. И.; Деревяго, А. Н.; Аникеев, И. И. |
| 2018 | Исследовать миграцию электронов по точечным дефектам структуры в полупроводниках для разработки выпрямителя прыжкового тока и элемента Пельтье. Подпрограмма «Материаловедение и технологии материалов». ГПНИ «Физическое материаловедение, новые материалы и технологии» на 2016 - 2020 гг., по заданию 1.33 : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Н. А. Поклонский | Поклонский, Н. А.; Вырко, С. А.; Власов, А. Т.; Сягло, А. И.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Ковалев, А. И.; Деревяго, А. Н. |
| 2019 | Контроль дифференциального сопротивления p–n-переходов биполярного транзистора в активном режиме методом импедансной спектроскопии | Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Марочкина, Я. Н.; Шпаковский, С. В. |
| 2007 | Новый метод определения времени жизни неосновных носителей заряда в базе диода с радиационными дефектами | Поклонский, Н. А.; Сягло, А. И.; Гардей, А. П.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Власов, А. Т. |
| 2012 | ОБРАЗОВАНИЕ СПЛОШНОГО РАДИАЦИОННО-НАРУШЕНННОГО СЛОЯ В КРЕМНИЕВЫХ ДИОДАХ, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ ВИСМУТА С ЭНЕРГИЕЙ 700 МЭВ | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Во Куанг Нья; Красицкая, Ю. А.; Скуратов, В. А.; Боженков, В. В. |
| 2002 | Определение времени жизни носителей заряда в полупроводниковом диоде из измерений высокочастотного импеданса | Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А. |
| 2012 | ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИЕВЫХ ДИОДАХ, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ ВИСМУТА С ЭНЕРГИЕЙ 700 МЭВ | Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Во Куанг Нья; Красицкая, Ю. А.; Скуратов, В. А.; Ластовский, С. Б. |
| 2014 | Перенос заряда в кремниевых p+n-диодах со сформированным высокоэнергетической имплантацией тяжелых ионов потенциальным рельефом в базовой области : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель Н. И. Горбачук | Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Поклонская, О. Н. |