Logo BSU

2008. Материалы и структуры современной электроники : [73] Collection home page

В сборнике представлены материалы III Международной научной конференции «Материалы и структуры современной электроники», посвященной 50-летию физического факультета Белорусского государственного университета. Приводятся основные результаты экспериментальных и теоретических исследований в области физики полупроводников, конденсированного состояния и нанотехнологий.

Сборник рассчитан на научных, педагогических и инженерно-технических работников, деятельность которых связана с созданием новых материалов и технологий, и может быть полезен аспирантам, магистрантам, студентам физических специальностей.

Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - 292 с. - (Вузовская наука, пром-сть, междунар. сотрудничество).

Редакционная коллегия:

доктор физико-математических наук, профессор В. Б. Оджаев (отв. ред.); доктор физико-математических наук, профессор В. В. Петров, член-корреспондент НАН Беларуси, доктор технических наук профессор В. А. Пилипенко; доктор физико-математических наук, профессор Я А. Поклонский; кандидат физико-математических наук, доцент В. В. Понарядов; кандидат физико-математических наук Ю. В. Сидоренко; доктор физико-математических наук .4. Р. Чепядинский; кандидат физико-математических наук В. Ю. Явид

ISBN 978-985-518-091-4

При полном или частичном использовании материалов ссылка на сайт Электронной библиотеки БГУ (www.elib.bsu.by) обязательна.

Collection's Items (Sorted by Submit Date in Descending order): 21 to 40 of 73
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2008Формирование вакуумно-плотных токопроводов в керамике путем химического осаждения меди из растворовСтепанова, Л. И.; Бодрых, Т. И.
2008Магниторезистивный эффект в модифицированных имплантацией ионов железа пленках полиэтилентерефталата, обусловленный доменными стенкамиВолобуев, В. С.; Лукашевич, М. Г.; Мельников, А. А.; Хайбуллин, Р. И.; Валеев, В. Ф.; Wieck, А.; Оджаев, В. Б.
2008Особенности диффузионных процессов и формирования собственных дефектов в наноструктурных материалах: квантово-химическое моделированиеГусаков, В. Е.
2008Нелинейные процессы при взаимодействии лазерных и ионных пучков с конденсированными средамиУрбанович, А. И.
2008Рекомбинационные свойства кремния, облученного ионами гелияТарасик, М. И.; Петлицкий, А. Н.; Соловьев, Я. А.; Федотов, А. К.; Янченко, А. М.
2008Нейросетевая обработка результатов ЭПР-исследований порошков синтетических алмазовАзарко, И. И.; Козлова, Е. И.; Макуценя, Д. П.; Толстых, П. В.
2008Структурные и электрофизические свойства тонких Si(1-x)Ge(x) пленок после имплантации В+ и последующего отжигаГайдук, П. И.; Гринько, С. Н.; Зайков, В. А.; Новиков, А. Г.; Наливайко, О. Ю.; Пшеничный, Е. Н.
2008Механизмы электролюминесценции гетероструктур, используемые в светодиодных технологиях автомобильной светотехникиБалохонов, Д. В.; Сернов, С. П.; Колонтаева, Т. В.
2008Влияние электронного облучения при 300 / 800 К на параметры кремниевых p-n-структурКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Маркевич, В. П.; Мурин, Л. И.; Шпаковский, С. В.
2008Взаимодействие примесных атомов меди с радиационными дефектами в кремнииМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Литвинко, А. Г.; Комаров, Б. А.
2008Влияние пространственного квантования на ВАХ одноэлектронных структурАбрамов, И. И.; Баранов, А. Л.; Лавринович, А. М.; Пыжик, И. В.
2008Токи утечки в p-n-переходах интегральных схем, изготовленных пошаговым методом ионного легированияПлебанович, В. И.; Оджаев, В. Б.; Васильев, Ю. Б.; Явид, В. Ю.; Челядинский, А. Р.
2008Электрически активные дефекты, содержащие вакансии и атомы кислорода в облученных кристаллах германияМаркевич, В. П.; Мурин, Л. И.; Литвинов, В. В.
2008Поведение примесей сурьмы и фосфора в имплантированном кремнииБелоус, А. И.; Васильев, Ю. Б.; Емельянов, В. А.; Оджаев, В. Б.; Плебанович, В. И.; Садовский, П. К.; Челядинский, А. Р.
2008Особенности воздействия мощных лазерных импульсов на слои пористого кремнияРусецкий, М. С.; Казючиц, Н. М.; Ивлев, Г. Д.
2008Моделирование формирования кластеров собственных дефектов в облученном кремнии: кинетический метод Монте-карлоБелько, В. И.; Бородин, В. А.; Гусаков, В. Е.; Дорожкнн, Н. Н.; Кондратьева, О. М.
2008Electron irradiation effects in ерitaxial schottky barriersKorshunov, F. Р.; Marchenko, I. G.; Zhdanovich, N. Е.; Gurin, Р. М.
2008Mechanism of hydrogen-related shallow donors formation in Ge(1-x)Si(x) crystals implanted with protonsPokotilo, Ju. М.; Petukh, А. N.; Litvinov, V. V.; Markevich, V. Р.; Peaker, А. R.; Abrosimov, N. А.
2008Дефектообразование в кремнии при нанесении металлопокрытий в условиях ионного ассистированияМихалкович, О. М.; Ташлыков, И. С.
2008Механизмы формирования и термическая стабильность вакансионно-кислородных нанокластеров в облученных кристаллах SiМурин, Л. И.
Collection's Items (Sorted by Submit Date in Descending order): 21 to 40 of 73