Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223431| Заглавие документа: | Дефектообразование в кремнии при нанесении металлопокрытий в условиях ионного ассистирования |
| Авторы: | Михалкович, О. М. Ташлыков, И. С. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2008 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 136-140 |
| Аннотация: | В настоящей работе обсуждаются результаты изучения композиционного состава, повреждения структуры поверхности (100) Si, модифицированного ионноассистированным нанесением Ti, Со покрытий в условиях самооблучения (ИАНПУС), используя метод резерфордовского обратного рассеяния в сочетании с каналированием (РОР/КИ). Установлено, что в состав покрытия входят атомы металла, водорода, углерода, кислорода, кремния. Междоузельные атомы Si, генерируемые радиационным воздействием, диффундируют при нанесении металлсодержащего покрытия, как в глубь кристалла, так и в само покрытие. Обнаружено влияние энергии и интегрального потока ионов Хе' на диффузионные процессы в кремнии. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223431 |
| ISBN: | 978-985-518-091-4 |
| Располагается в коллекциях: | 2008. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 136-140.pdf | 834,56 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.