Дефектообразование в кремнии при нанесении металлопокрытий в условиях ионного ассистирования

Abstract

В настоящей работе обсуждаются результаты изучения композиционного соста­ва, повреждения структуры поверхности (100) Si, модифицированного ионно­ассистированным нанесением Ti, Со покрытий в условиях самооблучения (ИАНПУС), используя метод резерфордовского обратного рассеяния в сочетании с каналированием (РОР/КИ). Установлено, что в состав покрытия входят атомы ме­талла, водорода, углерода, кислорода, кремния. Междоузельные атомы Si, генери­руемые радиационным воздействием, диффундируют при нанесении металлсодер­жащего покрытия, как в глубь кристалла, так и в само покрытие. Обнаружено влия­ние энергии и интегрального потока ионов Хе' на диффузионные процессы в кремнии.