Формирование вакуумно-плотных токопроводов в керамике путем химического осаждения меди из растворов

Abstract

В производстве некоторых типов приборов микроэлектронной техники (гибрид­ных или монолитных интегральных схем) при создании заземляющих структур и токопроводов возникает задача заполнения отверстий капиллярного типа в диэлек­трических подложках (поликоре, кварце, нитриде кремния и др.) вакуумно-плотным слоем высокопроводящего металла, в частности меди. В традиционных технологиче­ских процессах для решения такой задачи через центр микроотверстия (диаметр от 30-50 до 150 мкм), на стенки которого предварительно нанесен тонкий слой меди, пропускается медная проволока соответствующего диаметра, после чего под давле­нием отверстие заливается расплавленным припоем. Такой способ энерго- и трудо­емок и далеко не всегда обеспечивает надежность отверстий по герметизации из-за наличия раковин, воздушных пузырей и т. п.