Logo BSU

Поиск


Текущие фильтры:

Начать новый поиск
Добавить фильтры:

Используйте фильтры для уточнения результатов поиска.


Результаты 21-30 из 41.
Найденные документы:
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2016Особенности отжига межузельных атомов углерода в кремнии р-типаЛастовский, С. Б.; Якушевич, А. С.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
2016Радиационное воздействие на параметры счетного триггераБогатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Чеховский, В. А.; Огородников, Д. А.; Темирбулатов, М. С.; Эннс, В. И.
2011ХАРАКТЕРИСТИКИ МЕЖДОУЗЕЛЬНЫХ РЕАКЦИЙ В КРЕМНИИ И КРЕМНИЙ-ГЕРМАНИЕВЫХ СПЛАВАХ, ОБЛУЧЕННЫХ АЛЬФА-ЧАСТИЦАМИМакаренко, Л. Ф.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.
2001Индуктивная составляющая импеданса облученных электронами полупроводниковых барьерных структурПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б.; Лапаник, А. В.
2007Частотная зависимость реактивного импеданса облученных электронами р+n-переходов на кремнииПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Куприк, В. С.; Ластовский, С. Б.; Wieck, А.
2008Влияние электронного облучения при 300 / 800 К на параметры кремниевых p-n-структурКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Маркевич, В. П.; Мурин, Л. И.; Шпаковский, С. В.
2007Влияние отжига радиационных дефектов на характеристики n+-р- структур на Si1-xGex:BКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Абросимов, Н. В.
2008Образование дефектов в запробежной области кремниевых структур, облученных альфа-частицамиМакаренко, Л. Ф.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Хиврич, В. И.
2018Моделирование накопления заряда в облученных МОП/КНИ транзисторахОгородников, Д. А.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.
2018Влияние температуры облучения (Тобл = 80–700 К) быстрыми электронами и γ-квантами 60 Со на эффективность формирования радиационных дефектов в кремнии p-типаМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Ластовский, С. Б.; Фадеева, Е. А.