Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/223418
Title: Образование дефектов в запробежной области кремниевых структур, облученных альфа-частицами
Authors: Макаренко, Л. Ф.
Коршунов, Ф. П.
Ластовский, С. Б.
Хиврич, В. И.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2008
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 109-112
Abstract: Ионная имплантация является неотъемлемой частью технологии создания со­временных полупроводниковых приборов. В результате передачи энергии быстрых ионов атомам полупроводника образуются радиационные дефекты различных ти­пов. Наиболее интенсивно процесс дефектообразования протекает в области вблизи Rp, где Rp - проекционный пробег ионов. Дефекты, образующиеся в этой области, исследованы достаточно хорошо различными методами и достигнуто адекватное описание механизмов их образования. Однако в ряде работ сообщается об образова­нии радиационных дефектов в областях, в которые имплантированные ионы не про­никают - эффект дальнодействия. Механизмы та­кого дефектообразования окончательно не установлены. Считается, что определяю­щим фактором этого процесса является локальная деформация решетки, происходя­щая при взаимодействии ионов с кристаллом. Однако до сих пор нет однозначной трактовки механизма происходящих процессов и требуются новые эксперименталь­ные данные, которые позволили бы выявить характерные особенности эффекта дальнодействия. С этой целью нами были предприняты исследования дефектообразования в различных областях полупроводниковых структур, облученных альфа­частицами.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/223418
ISBN: 978-985-518-091-4
Appears in Collections:2008. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
109-112.pdf687,19 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.