Образование дефектов в запробежной области кремниевых структур, облученных альфа-частицами

Abstract

Ионная имплантация является неотъемлемой частью технологии создания со­временных полупроводниковых приборов. В результате передачи энергии быстрых ионов атомам полупроводника образуются радиационные дефекты различных ти­пов. Наиболее интенсивно процесс дефектообразования протекает в области вблизи Rp, где Rp - проекционный пробег ионов. Дефекты, образующиеся в этой области, исследованы достаточно хорошо различными методами и достигнуто адекватное описание механизмов их образования. Однако в ряде работ сообщается об образова­нии радиационных дефектов в областях, в которые имплантированные ионы не про­никают - эффект дальнодействия. Механизмы та­кого дефектообразования окончательно не установлены. Считается, что определяю­щим фактором этого процесса является локальная деформация решетки, происходя­щая при взаимодействии ионов с кристаллом. Однако до сих пор нет однозначной трактовки механизма происходящих процессов и требуются новые эксперименталь­ные данные, которые позволили бы выявить характерные особенности эффекта дальнодействия. С этой целью нами были предприняты исследования дефектообразования в различных областях полупроводниковых структур, облученных альфа­частицами.