Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/215224
Title: Моделирование накопления заряда в облученных МОП/КНИ транзисторах
Other Titles: Simulating of charge build-up in irradiated MOS/SOI transistors / D. A. Ogorodnikov, Yu. V. Bogatyrev, S. B. Lastovskii
Authors: Огородников, Д. А.
Богатырев, Ю. В.
Ластовский, С. Б.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2018
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 171-175.
Abstract: Проведен расчет накопления поверхностного заряда на границе раздела кремний - скрытый окисел в n-канальных МОП/КНИ-транзисторах в зависимости от их геометрических параметров и электрических режимов облучения. Показано, что наиболее «жёстким» является режим, при котором во время облучения на сток и исток подаётся напряжение +5 В, а на подложку, затвор и запитку канала – 0 В. При этом величину накопленного заряда удается существенно снизить, прикладывая к подложке отрицательное смещение и уменьшая толщину слоя захороненного окисла.
Abstract (in another language): The surface charge build-up in the interface silicon - buried oxide in n-channel MOS/SOI transistors depending on their geometric parameters and electrical modes during irradiation was calculated. It is shown that the most "harsh" electrical mode is when during irradiation voltage of +5 V is applied to drain and source and 0 V is applied to substrate, gate and channel feeding. The value of the built-up charge can be substantially reduced by applying a negative bias to the substrate and by decreasing thickness of the buried oxide layer.
Description: Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/215224
ISBN: 978-985-566-671-5
Appears in Collections:2018. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
171-175.pdf393,73 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.