Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215224Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Огородников, Д. А. | |
| dc.contributor.author | Богатырев, Ю. В. | |
| dc.contributor.author | Ластовский, С. Б. | |
| dc.date.accessioned | 2019-02-21T13:28:17Z | - |
| dc.date.available | 2019-02-21T13:28:17Z | - |
| dc.date.issued | 2018 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 171-175. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-566-671-5 | |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215224 | - |
| dc.description | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках | |
| dc.description.abstract | Проведен расчет накопления поверхностного заряда на границе раздела кремний - скрытый окисел в n-канальных МОП/КНИ-транзисторах в зависимости от их геометрических параметров и электрических режимов облучения. Показано, что наиболее «жёстким» является режим, при котором во время облучения на сток и исток подаётся напряжение +5 В, а на подложку, затвор и запитку канала – 0 В. При этом величину накопленного заряда удается существенно снизить, прикладывая к подложке отрицательное смещение и уменьшая толщину слоя захороненного окисла. | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Моделирование накопления заряда в облученных МОП/КНИ транзисторах | |
| dc.title.alternative | Simulating of charge build-up in irradiated MOS/SOI transistors / D. A. Ogorodnikov, Yu. V. Bogatyrev, S. B. Lastovskii | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The surface charge build-up in the interface silicon - buried oxide in n-channel MOS/SOI transistors depending on their geometric parameters and electrical modes during irradiation was calculated. It is shown that the most "harsh" electrical mode is when during irradiation voltage of +5 V is applied to drain and source and 0 V is applied to substrate, gate and channel feeding. The value of the built-up charge can be substantially reduced by applying a negative bias to the substrate and by decreasing thickness of the buried oxide layer. | |
| Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 171-175.pdf | 393,73 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.