Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215224| Title: | Моделирование накопления заряда в облученных МОП/КНИ транзисторах |
| Other Titles: | Simulating of charge build-up in irradiated MOS/SOI transistors / D. A. Ogorodnikov, Yu. V. Bogatyrev, S. B. Lastovskii |
| Authors: | Огородников, Д. А. Богатырев, Ю. В. Ластовский, С. Б. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2018 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 171-175. |
| Abstract: | Проведен расчет накопления поверхностного заряда на границе раздела кремний - скрытый окисел в n-канальных МОП/КНИ-транзисторах в зависимости от их геометрических параметров и электрических режимов облучения. Показано, что наиболее «жёстким» является режим, при котором во время облучения на сток и исток подаётся напряжение +5 В, а на подложку, затвор и запитку канала – 0 В. При этом величину накопленного заряда удается существенно снизить, прикладывая к подложке отрицательное смещение и уменьшая толщину слоя захороненного окисла. |
| Abstract (in another language): | The surface charge build-up in the interface silicon - buried oxide in n-channel MOS/SOI transistors depending on their geometric parameters and electrical modes during irradiation was calculated. It is shown that the most "harsh" electrical mode is when during irradiation voltage of +5 V is applied to drain and source and 0 V is applied to substrate, gate and channel feeding. The value of the built-up charge can be substantially reduced by applying a negative bias to the substrate and by decreasing thickness of the buried oxide layer. |
| Description: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215224 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Appears in Collections: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 171-175.pdf | 393,73 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.