Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/223696
Title: Частотная зависимость реактивного импеданса облученных электронами р+n-переходов на кремнии
Authors: Поклонский, Н. А.
Горбачук, Н. И.
Шпаковский, С. В.
Куприк, В. С.
Ластовский, С. Б.
Wieck, А.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2007
Publisher: Минск : Изд. центр БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of radiation witli solids : материалы 7-й Междунар. конф., Минск, 26-28 сент. 2007 г. / редкол. В. М. Анищик (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2007. — С. 219-221.
Abstract: Исследовались кремниевые диоды с р+n-переходом, облученные быстрыми (средняя энергия E= 3.5 МэВ) электронами флюенсом Ф = 4*10^16 см^-2. Проведены измерения частотных зависимостей реактивных составляющих импеданса. Установлено, что процессы захвата и/или рекомбинации носителей заряда на радиационных дефектах приводят к формированию импеданса индуктивного типа. Показано, что для облученных диодов в интервале прямых токов от 5 до 40 мА по мере роста частоты наблюдается переход от импеданса емкостного типа к индуктивному. Частота, при которой происходит смена знака реактивного импеданса, зависит от величины тока через диод.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/223696
ISBN: 978-985-476-530-3
Appears in Collections:2007. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
219-221.pdf620,73 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.