Частотная зависимость реактивного импеданса облученных электронами р+n-переходов на кремнии

Abstract

Исследовались кремниевые диоды с р+n-переходом, облученные быстрыми (средняя энергия E= 3.5 МэВ) электронами флюенсом Ф = 4*10^16 см^-2. Проведены измерения частотных зависимостей реактивных составляющих импеданса. Установлено, что процессы захвата и/или рекомбинации носителей заряда на радиационных дефектах приводят к формированию импеданса индуктивного типа. Показано, что для облученных диодов в интервале прямых токов от 5 до 40 мА по мере роста частоты наблюдается переход от импеданса емкостного типа к индуктивному. Частота, при которой происходит смена знака реактивного импеданса, зависит от величины тока через диод.