Электронная библиотека БГУ: Просмотр

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Просмотр "Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета" По дате выпуска

Выберите:
Или введите год:

Результаты 1 - 20 из 3732 следующий >

Дата выпуска	Заглавие	Автор(ы)
1997	Низкоразмерные системы : материалы ежегодной отчетной конф. по межвуз. прогр. фунд. исслед. "Физические основы получения, диагностики, функционирования и применения низкоразмерных элементов и систем" / под ред.: В. Ф. Стельмаха, А. К. Федотова	-
1999	The application of atomic hydrogen effects in silicon and silicon electronic devices technologies	Ulyashin, A. G.; Fedotov, A. K.
1999	Радиационное упрочнение ОЦК- и ГЦК- металлов при облучении тяжелыми высокоэнергетическими ионами	Гольцев, М. В.; Хофман, А.
1999	Свойства углеродных волокон после ионно-лучевой обработки	Гаврилов, Н. В.; Емлин, Д. Е.; Лигачев, А. Е.; Лигачева, Е. А.; Галеева, Л. В.
1999	Модификация свойств III-V материалов c использованием сложного легирования	Большакова, И. А.; Круковский, С. И.; Мрыхин, И. А.
1999	Пороговая энергия образования первичных дефектов в кремнии	Кучинский, П. В.
1999	Вольт - амперная характеристика сверхрешетки в условиях воздействия нелинейной электромагнитной волны	Крючков, С. В.; Завьялов, Д. В.
1999	Моделирование радиационного воздействия на СВЧ полупроводниковые приборы в приближении времен релаксации	Оболенский, С. В.
1999	Определение сечений возбуждения характеристического рентгеновского излучения K –серии Hf, Ta, W и Re протонами с энергией 1÷3 мэв	Левенец, В. В.; Щур, А. А.; Омельник, А. П.; Запорожченко, В. А.
1999	Исследование распределения легирующего элемента в быстрозатвердевших сплавах Al-Sb c применением ускоренных ионов гелия	Ташлыкова-Бушкевич, И. И.
1999	Парамагнитные дефекты в пленках полиамида многоступенчатой ионной имплантации	Попок, В. Н.; Азарко, И. И.; Карпович, И. А.; Гнатович, В.; Гавранек, В.; Пержинг, В.
1999	Эволюция дислокаций в кремнии при водородной плазменной обработке	Мильчанин, О. В.; Гайдук, П. И.
1999	Изучение границы раздела фаз в структуре Ti/Si c применением Xe маркера	Ташлыков, И. С.; Бобрович, О. Г.; Вишняков, В. М.; Картер, Дж.
1999	Накопление при облучении вакансионных комплексов в кремнии, легированном магнием	Лугаков, П. Ф.; Казакевич, Л. А.
1999	Образование дефектов при радиационно-термических воздействиях в кремнии c микродефектами различных типов	Лугаков, П. Ф.; Казакевич, Л. А.
1999	Радиационное дефектообразование в арсенидгаллиевых полевых транзисторах c барьером Шоттки	Конакова, Р. В.; Миленин, В. В.; Соловьев, Е. А.; Статов, В. А.; Стовповой, М. А.; Ренгевич, А. Е.
1999	Особенности фотолитического окрашивания твердых растворов карбоксиметилцеллюлозы, содержащих хлоридные комплексы висмута	Комарь, В. В.; Калинина, И. Ю.
1999	Исследование динамики изменения ювенильных поверхностей у-облученных и необлученных полупроводниковых кристаллов	Лиопо, В. А.; Шелег, А. У.; Картавцев, А. В.; Сенько, А. Ф.
1999	Выявление радиационных повреждений в облученных высокоэнергетичными ионами кристаллах A3B5 селективным травлением	Акимов, А. Н.; Власукова, Л. А.; Комаров, А. А.
1999	Формирование омического контакта к алмазу методом ионной имплантации	Самойлюк, Т. Т.; Хитько, В. И.; Шуленков, А. С.

Результаты 1 - 20 из 3732 следующий >