Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/206627| Заглавие документа: | Влияние гамма-излучения на планарное распределение поверхностных состояний в МОП структурах |
| Другое заглавие: | Influence of gamma radiation on planar distribution of surface states in the MOS structures / G. A. Lisovskij |
| Авторы: | Лисовский, Г. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 1999 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.2. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 159-161. |
| Аннотация: | Исследован профиль распределения радиационно-индуцированных поверхностных состояний (ПС) в окрестности сток-истоковых переходов комплементарной пары МОП ПТ. Для корректного измерения средней по площади плотности ПС осуществлена модификация метода накачки заряда. Режим измерений поддерживал постоянным энергетическое окно (Е| ± 0.25 эВ) и задавался в каждой точке канала соответствующим выбором базового смещения и амплитуды зондирующих импульсов напряжения. Получено, что плотность ПС в центре канала р-ПТ меньше 3 10111 а в n-ПТ больше 1.6 1012 см'2эВ'\ Профили распределения локальной плотности ПС по своей форме различаются для обоих типов приборов. В рамках модели напряженных связей полученные результаты объясняются различиями в планарном распределении упругих полей, индуцированных примесями с различными ковалентными радиусами в локальных областях (карманы, сток-истоковые переходы). |
| Аннотация (на другом языке): | A profile of the radiation-induced surface states distribution in the vicinity of the drain-source junction of the complementary MOS field transistor was investigated. The charge pumping method has been modified for correct measurement of areaaverage density of surface states. The measurement mode supported constant energy range (Ei+0,25 eV) and was controlled in each point by means of variation of the gate voltage pulse parameters and amplitude of voltage pulse bang. It was shown that surface states density in the middle of the channel of p-type is less than 3x1011 and n-type is more than 1,6x1012 cm'2eV 1. Distribution profiles of local densities of the surface states are difference on forms for both types of units. In accordance with the strained bond model the finding results are explained by difference in planar distribution of mechanical stresses induced by dopes with various covalent radiuses in local areas (wells, drain-source junctions, etc.). |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/206627 |
| ISBN: | 985-445-237-9 |
| Располагается в коллекциях: | 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 159-161.pdf | 3,03 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.