Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/206623| Title: | Использование радиационно-термической обработки для улучшения параметров силовых диодов |
| Other Titles: | Radiation-thermal processing utilization for the improvement of the power diodes parameters / F.P.Korshunov, N.E.Jdanovitch, I.G.Marchenko |
| Authors: | Коршунов, Ф. П. Жданович, Н. Е. Марченко, И. Г. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 1999 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.2. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 149-152. |
| Abstract: | Исследуется возможность улучшения статических и динамических параметров кремниевых диффузионных диодов посредством электронного облучения и последующего отжига в интервале температур 400-600°С. Установлено, что использование термостабильных дефектов позволяет получить приборы с улучшенными характеристиками, за счет неравномерного введения этих дефектов в высокоомную базу диодов. |
| Abstract (in another language): | The results of the investigation of the effective recombination centers induced by the electron irradiation with energy 4 MeV and the subsequent annealing at temperatures 400-600°C in silicon diffused p-n-structures are shown in this work. It is established that the main recombination center is the deep level with the ionization energy Ec— 0.32 eV and the electron culture cross section a„=5.10'14cm'J containing, seemingly, doping impurities (Al and B) forming the p-n-junction. It is shown, that the radiation-thermal treatment allows to obtain fast diodes with the parameters acceding those of the devices manufactured by means of the traditional radiation defects (VO-center and divacancy) introduction. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/206623 |
| ISBN: | 985-445-237-9 |
| Appears in Collections: | 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 149-152.pdf | 3,68 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.