Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Взаимодействие излучений с твердым телом
  6. 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/206623
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorКоршунов, Ф. П.-
dc.contributor.authorЖданович, Н. Е.-
dc.contributor.authorМарченко, И. Г.-
dc.date.accessioned2018-10-04T09:01:53Z-
dc.date.available2018-10-04T09:01:53Z-
dc.date.issued1999-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.2. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 149-152.ru
dc.identifier.isbn985-445-237-9-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/206623-
dc.description.abstractИсследуется возможность улучшения статических и динамических параметров кремниевых диффузионных диодов посредством электронного облучения и последующего отжига в интервале температур 400-600°С. Установлено, что использование термостабильных дефектов позволяет получить приборы с улучшенными характеристиками, за счет неравномерного введения этих дефектов в высокоомную базу диодов.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleИспользование радиационно-термической обработки для улучшения параметров силовых диодовru
dc.title.alternativeRadiation-thermal processing utilization for the improvement of the power diodes parameters / F.P.Korshunov, N.E.Jdanovitch, I.G.Marchenkoru
dc.typeconference paperru
dc.description.alternativeThe results of the investigation of the effective recombination centers induced by the electron irradiation with energy 4 MeV and the subsequent annealing at temperatures 400-600°C in silicon diffused p-n-structures are shown in this work. It is established that the main recombination center is the deep level with the ionization energy Ec— 0.32 eV and the electron culture cross section a„=5.10'14cm'J containing, seemingly, doping impurities (Al and B) forming the p-n-junction. It is shown, that the radiation-thermal treatment allows to obtain fast diodes with the parameters acceding those of the devices manufactured by means of the traditional radiation defects (VO-center and divacancy) introduction.ru
Располагается в коллекциях:1999. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
149-152.pdf3,68 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.