Logo BSU

Просмотр "Материалы и структуры современной электроники" По дате выпуска

Выберите:
Результаты 1 - 20 из 873  следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2006Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. II Междунар. науч. конф., Минск, 5-6 окт. 2006 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]-
2008Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]-
2008Влияние пространственного квантования на ВАХ одноэлектронных структурАбрамов, И. И.; Баранов, А. Л.; Лавринович, А. М.; Пыжик, И. В.
2008Electron irradiation effects in ерitaxial schottky barriersKorshunov, F. Р.; Marchenko, I. G.; Zhdanovich, N. Е.; Gurin, Р. М.
2008Поведение примесей сурьмы и фосфора в имплантированном кремнииБелоус, А. И.; Васильев, Ю. Б.; Емельянов, В. А.; Оджаев, В. Б.; Плебанович, В. И.; Садовский, П. К.; Челядинский, А. Р.
2008Полносимметричные колебания углеродной нанотрубки (5,5)Поклонский, И. А.; Кисляков, Е. Ф.; Хиеу, Нгуен Нгок; Вырко, С. А.; Бубель, О. Н.
2008Система для выращивания углеродных нанотрубок методом CVDКарпович, В. Б.; Комаров, Ф. Ф.; Кожевко, А. Н.; Зайков, В. А.
2008Электрические характеристики пленок полиимида, имплантированных ионами немагнитных металловВолобуев, В. С.; Лукашевич, С. М.; Хайбуллин, Р. И.; Валеев, В. Ф.
2008Лазерно-плазменное осаждение диэлектрических алмазоподобных углеродных покрытийГончаров, В. К.; Гусаков, Г. А.; Исмаилов, Д. Р.; Крекотень, О. В.; Пузырев, М. В.
2008Взаимодействие примесных атомов меди с радиационными дефектами в кремнииМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Литвинко, А. Г.; Комаров, Б. А.
2008Механизмы электролюминесценции гетероструктур, используемые в светодиодных технологиях автомобильной светотехникиБалохонов, Д. В.; Сернов, С. П.; Колонтаева, Т. В.
2008Нейросетевая обработка результатов ЭПР-исследований порошков синтетических алмазовАзарко, И. И.; Козлова, Е. И.; Макуценя, Д. П.; Толстых, П. В.
2008Токи утечки в p-n-переходах интегральных схем, изготовленных пошаговым методом ионного легированияПлебанович, В. И.; Оджаев, В. Б.; Васильев, Ю. Б.; Явид, В. Ю.; Челядинский, А. Р.
2008Магниторезистивный эффект в модифицированных имплантацией ионов железа пленках полиэтилентерефталата, обусловленный доменными стенкамиВолобуев, В. С.; Лукашевич, М. Г.; Мельников, А. А.; Хайбуллин, Р. И.; Валеев, В. Ф.; Wieck, А.; Оджаев, В. Б.
2008Особенности диффузионных процессов и формирования собственных дефектов в наноструктурных материалах: квантово-химическое моделированиеГусаков, В. Е.
2008Структура и электрические свойства нанокристаллического карбонитрида титанаЗубович, Г. К.; Урбанович, В. С.; Викторов, И. А.; Krolichka, B.; Jaworska, L.; Klimczyk, P.
2008Нелинейные процессы при взаимодействии лазерных и ионных пучков с конденсированными средамиУрбанович, А. И.
2008Оптические свойства полиэтилентерефталата и полиэфирэфиркетона, имплантированных ионами никеляБумай, Ю. А.; Волобуев, В. С.; Валеев, В. Ф.; Долгих, Н. И.; Лукашевич, М. Г.; Нажим, Ф. А.; Хайбуллин, Р. И.
2008Mathematical simulation of pulse-driven Josephson junctionChuricalov, V. А.
2008Электрически активные дефекты, содержащие вакансии и атомы кислорода в облученных кристаллах германияМаркевич, В. П.; Мурин, Л. И.; Литвинов, В. В.