Showing results 1 to 20 of 49
next >
Preview | Issue Date | Title | Author(s) |
| 2020 | Бесконтактное картирование примеси железа в кремнии зондовым зарядочувствительным методом | Тявловский, А. К.; Жарин, А. Л.; Тявловский, К. Л.; Пантелеев, К. В.; Воробей, Р. И.; Свистун, А. И.; Пилипенко, В. А.; Петлицкий, А. Н. |
| 2016 | Быстрая термическая обработка системы TiN/Ti/Si | Маркевич, М. И.; Стельмах, В. Ф.; Чапланов, А. М.; Петлицкий, А. Н.; Жигулин, Д. В. |
| 2018 | Взаимодействие атомов сурьмы с микропорами в кремнии | Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Плебанович, В. И.; Садовский, П. К.; Тарасик, М. И.; Челядинский, А. Р. |
| 2022 | Влияние γ-облучения на электрофизические параметры p–i–n-фотодиодов | Оджаев, В. Б.; Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Тарасик, М. И.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2021 | Влияние ионной имплантации азота на величину токов сток-исток силовых МОП-транзисторов | Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Янковский, Ю. Н. |
| 2019 | Влияние ионной имплантации азота на эксплуатационные параметры силовых МОП-транзисторов | Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Челядинский, А. Р.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Шпаковский, С. В. |
| 2020 | Влияние ионной имплантации азота на электрофизические параметры силовых МОП-транзисторов | Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В. |
| 2020 | Влияние ионной имплантации азота на электрофизические свойства подзатворного диэлектрика силовых МОП-транзисторов | Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В. |
| 2020 | Влияние ионной имплантации азота на электрофизические свойства подзатворного диэлектрика силовых МОП-транзисторов | Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В. |
| 2021 | Влияние неконтролируемых технологических примесей на температурную зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистора | Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 10-May-2023 | Влияние структурных дефектов на электрофизические параметры p-i-n-фотодиодов | Ковальчук, Н. С.; Ластовский, С. Б.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2012 | ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРИМЕСЕЙ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ n-МОП ТРАНЗИСТОРА | Карпович, И. А.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Турцевич, А. С.; Шведов, В. С.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2020 | Влияние ширины запрещенной зоны на температурную зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистора | Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2018 | Геттерирование неконтролируемых примесей в высокоомных пластинах кремния | Лемешевская, А. М.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Тарасик, М. И.; Цымбал, В. С.; Челядинский, А. Р.; Шестовский, Д. В. |
| 2016 | Геттерирование примесей в кремнии и параметры структур «металл – окисел – полупроводник» | Васильев, Ю. Б.; Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Садовский, П. К.; Тарасик, М. И.; Филипеня, В. А.; Челядинский, А. Р. |
| 2014 | Диэлектрические характеристики конденсаторных структур на основе пленок титаната стронция, сформированных золь-гель методом | Сохраби, Анараки Х.; Гапоненко, Н. В.; Руденко, М. В.; Завадский, С. М.; Голосов, Д. А.; Гук, А. Ф.; Колос, В. В.; Петлицкий, А. Н.; Турцевич, А. С. |
| 2018 | Зависимость коэффициента усиления биполярного n–p–n-транзистора от параметров легированных областей и содержания технологических примесей | Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2019 | Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от параметров ионно-имплантированных областей эмиттера и базы | Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2019 | Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от параметров ионно-имплантированных областей эмиттера и базы | Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2020 | Зондовые зарядочувствительные методы в технологическом контроле производства больших интегральных схем | Тявловский, К. Л.; Тявловский, А. К.; Гусев, О. К.; Воробей, Р. И.; Жарин, А. Л.; Свистун, А. И.; Пилипенко, В. А.; Петлицкий, А. Н. |