Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/215226
Title: Геттерирование неконтролируемых примесей в высокоомных пластинах кремния
Other Titles: Gettering of incontroled impurities in high-ohm silicon plates / A. M. Lemeshevskaia, V. B. Odzaev, A. N. Petlitskii, M. I. Tarasik, V. S. Tsimbal, A. R. Chelyadinskii, D. V. Shestovskii
Authors: Лемешевская, А. М.
Оджаев, В. Б.
Петлицкий, А. Н.
Тарасик, М. И.
Цымбал, В. С.
Челядинский, А. Р.
Шестовский, Д. В.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2018
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 180-183.
Abstract: Исследовано влияние геттерирования неконтролируемых примесей переходных металлов (Сu, Fe, Ni и др) на электрофизические параметры кремния. Установлено, что создание геттерного слоя путем имплантации в кремний ионов Sb+ и последующих термообработок существенно повышает время жизни и диффузионную длину неравновесных носителей заряда в пластинах кремния, используемых для создания фотодиодов.
Abstract (in another language): Influence of transition-metal impurities (Cu, Fe, Ni et. al) gettering on silicon electrical parameters was investigated. It was established that gettering layers, created with Sb+ ion implantation and anneal increase life-time and diffusion length of in equilibrium charge carriers.
Description: Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/215226
ISBN: 978-985-566-671-5
Appears in Collections:2018. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
180-183.pdf368,14 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.