Геттерирование неконтролируемых примесей в высокоомных пластинах кремния

Лемешевская, А. М.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Тарасик, М. И.; Цымбал, В. С.; Челядинский, А. Р.; Шестовский, Д. В.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/215226

Title:	Геттерирование неконтролируемых примесей в высокоомных пластинах кремния
Other Titles:	Gettering of incontroled impurities in high-ohm silicon plates / A. M. Lemeshevskaia, V. B. Odzaev, A. N. Petlitskii, M. I. Tarasik, V. S. Tsimbal, A. R. Chelyadinskii, D. V. Shestovskii
Authors:	Лемешевская, А. М. Оджаев, В. Б. Петлицкий, А. Н. Тарасик, М. И. Цымбал, В. С. Челядинский, А. Р. Шестовский, Д. В.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2018
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 180-183.
Abstract:	Исследовано влияние геттерирования неконтролируемых примесей переходных металлов (Сu, Fe, Ni и др) на электрофизические параметры кремния. Установлено, что создание геттерного слоя путем имплантации в кремний ионов Sb+ и последующих термообработок существенно повышает время жизни и диффузионную длину неравновесных носителей заряда в пластинах кремния, используемых для создания фотодиодов.
Abstract (in another language):	Influence of transition-metal impurities (Cu, Fe, Ni et. al) gettering on silicon electrical parameters was investigated. It was established that gettering layers, created with Sb+ ion implantation and anneal increase life-time and diffusion length of in equilibrium charge carriers.
Description:	Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
URI:	http://elib.bsu.by/handle/123456789/215226
ISBN:	978-985-566-671-5
Appears in Collections:	2018. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
180-183.pdf		368,14 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar