Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2018. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/215226
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorЛемешевская, А. М.
dc.contributor.authorОджаев, В. Б.
dc.contributor.authorПетлицкий, А. Н.
dc.contributor.authorТарасик, М. И.
dc.contributor.authorЦымбал, В. С.
dc.contributor.authorЧелядинский, А. Р.
dc.contributor.authorШестовский, Д. В.
dc.date.accessioned2019-02-21T13:28:18Z-
dc.date.available2019-02-21T13:28:18Z-
dc.date.issued2018
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 180-183.
dc.identifier.isbn978-985-566-671-5
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/215226-
dc.descriptionДефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
dc.description.abstractИсследовано влияние геттерирования неконтролируемых примесей переходных металлов (Сu, Fe, Ni и др) на электрофизические параметры кремния. Установлено, что создание геттерного слоя путем имплантации в кремний ионов Sb+ и последующих термообработок существенно повышает время жизни и диффузионную длину неравновесных носителей заряда в пластинах кремния, используемых для создания фотодиодов.
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleГеттерирование неконтролируемых примесей в высокоомных пластинах кремния
dc.title.alternativeGettering of incontroled impurities in high-ohm silicon plates / A. M. Lemeshevskaia, V. B. Odzaev, A. N. Petlitskii, M. I. Tarasik, V. S. Tsimbal, A. R. Chelyadinskii, D. V. Shestovskii
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeInfluence of transition-metal impurities (Cu, Fe, Ni et. al) gettering on silicon electrical parameters was investigated. It was established that gettering layers, created with Sb+ ion implantation and anneal increase life-time and diffusion length of in equilibrium charge carriers.
Располагается в коллекциях:2018. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
180-183.pdf368,14 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.