Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215226| Заглавие документа: | Геттерирование неконтролируемых примесей в высокоомных пластинах кремния |
| Другое заглавие: | Gettering of incontroled impurities in high-ohm silicon plates / A. M. Lemeshevskaia, V. B. Odzaev, A. N. Petlitskii, M. I. Tarasik, V. S. Tsimbal, A. R. Chelyadinskii, D. V. Shestovskii |
| Авторы: | Лемешевская, А. М. Оджаев, В. Б. Петлицкий, А. Н. Тарасик, М. И. Цымбал, В. С. Челядинский, А. Р. Шестовский, Д. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2018 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 180-183. |
| Аннотация: | Исследовано влияние геттерирования неконтролируемых примесей переходных металлов (Сu, Fe, Ni и др) на электрофизические параметры кремния. Установлено, что создание геттерного слоя путем имплантации в кремний ионов Sb+ и последующих термообработок существенно повышает время жизни и диффузионную длину неравновесных носителей заряда в пластинах кремния, используемых для создания фотодиодов. |
| Аннотация (на другом языке): | Influence of transition-metal impurities (Cu, Fe, Ni et. al) gettering on silicon electrical parameters was investigated. It was established that gettering layers, created with Sb+ ion implantation and anneal increase life-time and diffusion length of in equilibrium charge carriers. |
| Доп. сведения: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215226 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 180-183.pdf | 368,14 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.