Skip navigation
Home
Вход
Language
English
русский
ISSN 2519-4437
(online)
Электронная библиотека БГУ
Issue Date
Author
Title
Subject
Browsing by Author Ластовский, С. Б.
Jump to:
0-9
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
А
Б
В
Г
Д
Е
Ж
З
И
Й
К
Л
М
Н
О
П
Р
С
Т
У
Ф
Х
Ц
Ч
Ш
Щ
Ъ
Ы
Ь
Э
Ю
Я
or enter first few letters:
Sort by:
title
issue date
submit date
In order:
Ascending
Descending
Results/Page
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
Authors/Record:
All
1
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Showing results 1 to 20 of 61
next >
Preview
Issue Date
Title
Author(s)
2024
Адгезия к монокристаллическому кремнию пленок диазохинонноволачных фоторезистов, облученных электронами
Вабищевич, С. А.
;
Вабищевич, Н. В.
;
Бринкевич, С. Д.
;
Бринкевич, Д. И.
;
Просолович, В. С.
;
Ластовский, С. Б.
2010
Барьер для миграции собственных междоузельных атомов в кремнии, легированном бором
Макаренко, Л. Ф.
;
Молл, М.
;
Коршунов, Ф. П.
;
Ластовский, С. Б.
;
Мурин, Л. И.
2022
Влияние γ-облучения на электрофизические параметры p–i–n-фотодиодов
Оджаев, В. Б.
;
Горбачук, Н. И.
;
Ластовский, С. Б.
;
Петлицкий, А. Н.
;
Просолович, В. С.
;
Ковальчук, Н. С.
;
Тарасик, М. И.
;
Шестовский, Д. В.
;
Явид, В. Ю.
;
Янковский, Ю. Н.
2003
Влияние гамма-излучения на накопление заряда в МОП-структурах при различных условиях
Богатырев, Ю. В.
;
Коршунов, Ф. П.
;
Ластовский, С. Б.
;
Кульгачев, В. И.
2022
Влияние гамма-квантов на темновой ток кремниевых фотоумножителей с оптической изоляцией ячеек
Огородников, Д. А.
;
Богатырев, Ю. В.
;
Ластовский, С. Б.
;
Лемешевская, А. М.
;
Цымбал, В. С.
;
Кетько, А. В.
;
Шпаковский, С. В.
2023
Влияние гамма-квантов на характеристики SiФЭУ с оптически изолированными ячейками p+-n-n+-типа
Огородников, Д. А.
;
Богатырев, Ю. В.
;
Ластовский, С. Б.
;
Лемешевская, А. М.
;
Цымбал, В. С.
2025
Влияние инжекции электронов на профиль распределения дырок в р–базе кремниевых n+–p-структур, облученных альфа-частицами
Жданович, Д. Н.
;
Ластовский, С. Б.
;
Макаренко, Л. Ф.
;
Маркевич, В. П.
;
Медведева, И. Ф.
;
Огородников, Д. А.
2012
ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕЙ РАДИАЦИИ НА СУБМИКРОННЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ
Богатырев, Ю. В.
;
Коршунов, Ф. П.
;
Ластовский, С. Б.
;
Турцевич, А. С.
;
Шведов, С. В.
;
Белоус, А. И.
Nov-2023
Влияние облучения быстрыми электронами на параметры диодов генераторов шума
Буслюк, В. В.
;
Дереченник, С. С.
;
Оджаев, В. Б.
;
Просолович, В. С.
;
Ластовский, С. Б.
;
Нерода, И. Ю.
;
Федосюк, Д. Н.
;
Черный, В. В.
;
Янковский, Ю. Н.
2007
Влияние отжига радиационных дефектов на характеристики n+-р- структур на Si1-xGex:B
Коршунов, Ф. П.
;
Богатырев, Ю. В.
;
Ластовский, С. Б.
;
Мурин, Л. И.
;
Маркевич, В. П.
;
Абросимов, Н. В.
2001
Влияние радиационных дефектов на параметры мощных биполярных транзисторных структур
Коршунов, Ф. П.
;
Богатырев, Ю. В.
;
Ластовский, С. Б.
;
Кульгачев, В. И.
;
Ануфриев, Л. П.
;
Рубцевич, И. И.
;
Голубев, Н. Ф.
10-May-2023
Влияние структурных дефектов на электрофизические параметры p-i-n-фотодиодов
Ковальчук, Н. С.
;
Ластовский, С. Б.
;
Оджаев, В. Б.
;
Петлицкий, А. Н.
;
Просолович, В. С.
;
Шестовский, Д. В.
;
Явид, В. Ю.
;
Янковский, Ю. Н.
2012
ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ОБЛУЧЕНИЯ (ТОБЛ = 320–580 К) БЫСТРЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ ФОРМИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ
Медведева, И. Ф.
;
Мурин, Л. И.
;
Маркевич, В. П.
;
Коршунов, Ф. П.
;
Ластовский, С. Б.
;
Гусаков, В. Е.
2018
Влияние температуры облучения (Тобл = 80–700 К) быстрыми электронами и γ-квантами 60 Со на эффективность формирования радиационных дефектов в кремнии p-типа
Медведева, И. Ф.
;
Мурин, Л. И.
;
Маркевич, В. П.
;
Ластовский, С. Б.
;
Фадеева, Е. А.
2019
Влияние флюенса ускоренных электронов на парамагнитные свойства НРНТ алмазов
Азарко, И. И.
;
Карпович, И. А.
;
Игнатенко, О. В.
;
Коновалова, А. В.
;
Ластовский, С. Б.
;
Комар, В. А.
2019
Влияние флюенса ускоренных электронов на парамагнитные свойства НРНТ алмазов
Азарко, И. И.
;
Карпович, И. А.
;
Игнатенко, О. В.
;
Коновалова, А. В.
;
Ластовский, С. Б.
;
Комар, В. А.
2025
Влияние экранирования электронных пучков на скорость накопления радиационных дефектов в кремнии и кремний-германиевых сплавах
Ластовский, С. Б.
;
Макаренко, Л. Ф.
2022
Влияние электрического поля на образование радиационно-индуцированных центров в кремний-германиевых сплавах p-типа при облучении альфа-частицами
Жданович, Д. Н.
;
Жданович, Н. Е.
;
Ластовский, С. Б.
;
Маркевич, В. П.
;
Медведева, И. Ф.
;
Огородников, Д. А.
;
Фадеева, Е. А.
1999
Влияние электронного облучения на проводимость и емкость кремниевых плавных рп-переходов при 4,2*80 К
Ластовский, С. Б.
;
Гуринович, В. А.
;
Жданович, Н. Е.
;
Поклонский, Н. А.
;
Трощинский, В. Т.
2016
Влияние электронного облучения на характеристики кремниевых биполярных транзисторов
Молчанов, Д. В.
;
Ластовский, С. Б.