Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
| 2003 | Влияние дозы и энергии имплантированных ионов бора на перенос электронов в n-канале кремниевых короткоканальных МОП-транзисторов | Борздов, В. М.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.; Зезюля, А. В.; Борздов, А. В.; Малышев, В. С. |
| 2003 | Влияние сегрегации примесей на сквозное обеднение в tv-канальном МОП-транзисторе | Андреев, А. Д.; Валиев, А. А.; Жевняк, О. Г.; Мулярчик, С. Г.; Шевкун, И. М. |
| 2003 | Влияние сегрегации примеси на сквозное объединение в n-канальном МОП транзисторе | Андреев, А. Д.; Валиев, А. А.; Жевняк, О. Г.; Мулярчик, С. Г.; Шевкун, И. М. |
| 2018 | Вычислительная микро- и наноэлектроника. №УД - 5452/уч. | Жевняк, О. Г. |
| 1999 | Дрейфовая скорость электронов в высоколегированной подложке кремниевого МОП-ПТ | Андреев, А. Д.; Борздов, В. М.; Валиев, А. А.; Жевняк, О. Г.; Русецкий, А. М. |
| 2003 | Интенсивности рассеяния вторичных дырок в N-канале кремниевых субмикронных МОП-транзисторов | Борздов, В. Н.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.; Зезюля, А. В.; Комаров, Ф. Ф.; Малышев, В. С. |
| 2003 | Интенсивности рассеяния вторичных дырок в w-канале кремниевых субмикронных МОП-транзисторов | Борздов, В. М.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.; Комаров, Ф. Ф.; Зезюля, А. В. |
| 2021 | Моделирование влияния глубины залегания стока на перенос электронов в элементах флеш-памяти | Жевняк, О. Г.; Жевняк, Я. О. |
| 2023 | Моделирование влияния затворного напряжения на плотность паразитного туннельного тока в элементах флеш-памяти | Жевняк, О. Г.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М. |
| 2018 | Моделирование влияния истока и стока на квантование энергии электронов в короткоканальных МОП-транзисторах | Жевняк, О. Г.; Жевняк, Я. О. |
| 2022 | Моделирование влияния различных механизмов рассеяния на подвижность электронов в элементах флеш-памяти | Жевняк, О. Г. |
| 2023 | Моделирование влияния стокового напряжения на форму потенциального барьера в элементах флеш-памяти | Жевняк, О. Г.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М. |
| 2020 | Моделирование двумерных распределений подвижности электронов в элементах флеш-памяти | Жевняк, О. Г.; Жевняк, Я. О. |
| 2014 | Моделирование методом Монте-Карло влияния глубины залегания стока на перенос электронов и ток стока в субмикронных МОП-транзисторах | Жевняк, О. Г.; Шевкун, И. М. |
| 2011 | Моделирование методом Монте-Карло подвижности электронов вблизи стока в короткоканальных МОП-транзисторах с мелкими и глубокими стоками | Жевняк, О. Г. |
| 2011 | Моделирование методом Монте-Карло приборных структур СБИС и УБИС | Борздов, В. М.; Борздов, А. В.; Поздняков, Д. В.; Жевняк, О. Г.; Сперанский, Д. С.; Комаров, Ф. Ф. |
| 2022 | Моделирование методом Монте-Карло пространственного распределения энергии электронов в элементах флеш-памяти | Жевняк, О. Г.; Борздов, В. М.; Борздов, А. В.; Леонтьев, А. В. |
| 2015 | Моделирование методом Монте-Карло туннельного тока в субмикронных МОП-транзисторах. | Жевняк, О. Г. |
| 2010 | Моделирование методом Монте-Карло электронного переноса в ультра короткоканальных МОП-транзисторах | Жевняк, О. Г. |
| 2006 | Моделирование переходных процессов в GaAs-квантовой проволоке с учетом уширения энергетических уровней | Жевняк, О. Г.; Поздняков, Д. В.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Галенчик, В. О. |