Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/10473| Заглавие документа: | Моделирование методом Монте-Карло электронного переноса в ультра короткоканальных МОП-транзисторах |
| Авторы: | Жевняк, О. Г. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2010 |
| Издатель: | Материалы конференции ФММН2010 |
| Аннотация: | In this paper Monte Carlo simulation of electron transport in MOSFET with 0,15 m channel length is considered. The economic algorithm for calculation of electron transport in conditions of inconstant concentration of electrons and acceptor ions is proposed. The dependencies of electric potential as well as electron concentration at different sections of channel are obtained. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/10473 |
| Располагается в коллекциях: | Статьи |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| ФММН2010.doc | 130,5 kB | Microsoft Word | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.