Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/10473
Заглавие документа: Моделирование методом Монте-Карло электронного переноса в ультра короткоканальных МОП-транзисторах
Авторы: Жевняк, О. Г.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2010
Издатель: Материалы конференции ФММН2010
Аннотация: In this paper Monte Carlo simulation of electron transport in MOSFET with 0,15 m channel length is considered. The economic algorithm for calculation of electron transport in conditions of inconstant concentration of electrons and acceptor ions is proposed. The dependencies of electric potential as well as electron concentration at different sections of channel are obtained.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/10473
Располагается в коллекциях:Статьи факультета радиофизики и компьютерных технологий

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
ФММН2010.doc130,5 kBMicrosoft WordОткрыть


Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.