Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292865| Заглавие документа: | Моделирование влияния различных механизмов рассеяния на подвижность электронов в элементах флеш-памяти |
| Другое заглавие: | Simulation of different scattering mechanism’s effect on electron mobility in flash-memory cells / O. G. Zhevnyak |
| Авторы: | Жевняк, О. Г. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2022 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 384-386. |
| Аннотация: | В основе работы современных элементов флеш-памяти лежит перенос электронов в проводящем канале кремниевых МОП-транзисторов с плавающим затвором. Быстродействие этих элементов в режиме считывания информации определяется подвижностью электронов при их дрейфе в данном канале. В настоящей работе изучено влияние на подвижность электронов в элементах флеш-памяти двух основных механизмов рассеяния на фононах и на ионах примеси путем численного моделирования электронного переноса методом Монте-Карло Показано, что с ростом энергии электронов существенно возрастает влияние на подвижность электронов фононных механизмов рассеяния, что приводит к уменьшению величины подвижности |
| Аннотация (на другом языке): | The operation of modern flash memory elements is based on the electron transport in conducting channel of silicon MOSFET’s with a floating gate. Performance of these elements in information reading regime is limited by electron mobility describing of drift of electron in such channel. In present work the effects of the phonon’s scatterings as well as the ion’s scatterings on electron mobility are studied by using numerical Monte Carlo simulation of electron transport. It is shown that the effect of phonon scattering mechanisms on the electron mobility increases significantly with an increase the electron energy. It is too accompanied by decreasing of electron mobility |
| Доп. сведения: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292865 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 384-386.pdf | 434,74 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.