Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292865| Title: | Моделирование влияния различных механизмов рассеяния на подвижность электронов в элементах флеш-памяти |
| Other Titles: | Simulation of different scattering mechanism’s effect on electron mobility in flash-memory cells / O. G. Zhevnyak |
| Authors: | Жевняк, О. Г. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2022 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 384-386. |
| Abstract: | В основе работы современных элементов флеш-памяти лежит перенос электронов в проводящем канале кремниевых МОП-транзисторов с плавающим затвором. Быстродействие этих элементов в режиме считывания информации определяется подвижностью электронов при их дрейфе в данном канале. В настоящей работе изучено влияние на подвижность электронов в элементах флеш-памяти двух основных механизмов рассеяния на фононах и на ионах примеси путем численного моделирования электронного переноса методом Монте-Карло Показано, что с ростом энергии электронов существенно возрастает влияние на подвижность электронов фононных механизмов рассеяния, что приводит к уменьшению величины подвижности |
| Abstract (in another language): | The operation of modern flash memory elements is based on the electron transport in conducting channel of silicon MOSFET’s with a floating gate. Performance of these elements in information reading regime is limited by electron mobility describing of drift of electron in such channel. In present work the effects of the phonon’s scatterings as well as the ion’s scatterings on electron mobility are studied by using numerical Monte Carlo simulation of electron transport. It is shown that the effect of phonon scattering mechanisms on the electron mobility increases significantly with an increase the electron energy. It is too accompanied by decreasing of electron mobility |
| Description: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292865 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 384-386.pdf | 434,74 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.