Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271762| Заглавие документа: | Моделирование влияния глубины залегания стока на перенос электронов в элементах флеш-памяти |
| Другое заглавие: | Simulation of drain depth effect on electron transport in flash-memory Elements / O.G. Zhevnyak, Ya.O. Zhevnyak |
| Авторы: | Жевняк, О. Г. Жевняк, Я. О. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 2021 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Квантовая электроника : материалы XIII Междунар. науч.-техн. конференции, Минск, 22–26 ноября 2021 г. / БГУ, НИИ прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко БГУ, Ин-т физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований ; [редкол.: М. М. Кугейко (отв. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 263-265. |
| Аннотация: | Проведено численное моделирование электронного переноса в короткоканальных кремниевых МОП-транзисторах с плавающим затвором, лежащих в основе современных элементов флеш-памяти, при наличии мелкого и глубоко стока (глубиной залегания 10 нм и 100 нм, соответственно). Рассчитаны параметры, характеризующие этот перенос, а также изменения плотности электронного тока в глубь подложки транзистора. Показано, что для случая мелкого стока перенос осуществляется в узкой приповерхностной области, что повышает риск появления паразитных токов на плавающий затвор, которые могут привести к искажению хранящейся на элементе флеш-памяти информации |
| Аннотация (на другом языке): | Numerical simulation of electron transport in silicon short-channel MOSFETs with floating gate has been produced for case shallow as well as deep drains. Such transistors are the basic elements of modern flash-memory devices. Kinetic parameters of electron transport and spatial current dependencies have been calculated. It is shown that the electron current in transistors with shallow drain flows near the surface. It can produce a high parasitic tunnel current into floating gate |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271762 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Номер, дата депонирования: | № 010503112021, Деп. в БГУ 03.11.2021 |
| Располагается в коллекциях: | 2021. Квантовая электроника |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 263-265.pdf | 884,28 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.