Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271762| Title: | Моделирование влияния глубины залегания стока на перенос электронов в элементах флеш-памяти |
| Other Titles: | Simulation of drain depth effect on electron transport in flash-memory Elements / O.G. Zhevnyak, Ya.O. Zhevnyak |
| Authors: | Жевняк, О. Г. Жевняк, Я. О. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Issue Date: | 2021 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Квантовая электроника : материалы XIII Междунар. науч.-техн. конференции, Минск, 22–26 ноября 2021 г. / БГУ, НИИ прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко БГУ, Ин-т физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований ; [редкол.: М. М. Кугейко (отв. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 263-265. |
| Abstract: | Проведено численное моделирование электронного переноса в короткоканальных кремниевых МОП-транзисторах с плавающим затвором, лежащих в основе современных элементов флеш-памяти, при наличии мелкого и глубоко стока (глубиной залегания 10 нм и 100 нм, соответственно). Рассчитаны параметры, характеризующие этот перенос, а также изменения плотности электронного тока в глубь подложки транзистора. Показано, что для случая мелкого стока перенос осуществляется в узкой приповерхностной области, что повышает риск появления паразитных токов на плавающий затвор, которые могут привести к искажению хранящейся на элементе флеш-памяти информации |
| Abstract (in another language): | Numerical simulation of electron transport in silicon short-channel MOSFETs with floating gate has been produced for case shallow as well as deep drains. Such transistors are the basic elements of modern flash-memory devices. Kinetic parameters of electron transport and spatial current dependencies have been calculated. It is shown that the electron current in transistors with shallow drain flows near the surface. It can produce a high parasitic tunnel current into floating gate |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271762 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Number, date deposit: | № 010503112021, Деп. в БГУ 03.11.2021 |
| Appears in Collections: | 2021. Квантовая электроника |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 263-265.pdf | 884,28 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.