Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271762Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Жевняк, О. Г. | |
| dc.contributor.author | Жевняк, Я. О. | |
| dc.date.accessioned | 2021-11-12T07:31:00Z | - |
| dc.date.available | 2021-11-12T07:31:00Z | - |
| dc.date.issued | 2021 | |
| dc.identifier.citation | Квантовая электроника : материалы XIII Междунар. науч.-техн. конференции, Минск, 22–26 ноября 2021 г. / БГУ, НИИ прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко БГУ, Ин-т физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований ; [редкол.: М. М. Кугейко (отв. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 263-265. | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271762 | - |
| dc.description.abstract | Проведено численное моделирование электронного переноса в короткоканальных кремниевых МОП-транзисторах с плавающим затвором, лежащих в основе современных элементов флеш-памяти, при наличии мелкого и глубоко стока (глубиной залегания 10 нм и 100 нм, соответственно). Рассчитаны параметры, характеризующие этот перенос, а также изменения плотности электронного тока в глубь подложки транзистора. Показано, что для случая мелкого стока перенос осуществляется в узкой приповерхностной области, что повышает риск появления паразитных токов на плавающий затвор, которые могут привести к искажению хранящейся на элементе флеш-памяти информации | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | |
| dc.title | Моделирование влияния глубины залегания стока на перенос электронов в элементах флеш-памяти | |
| dc.title.alternative | Simulation of drain depth effect on electron transport in flash-memory Elements / O.G. Zhevnyak, Ya.O. Zhevnyak | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.identifier.deposit | № 010503112021, Деп. в БГУ 03.11.2021 | |
| dc.description.alternative | Numerical simulation of electron transport in silicon short-channel MOSFETs with floating gate has been produced for case shallow as well as deep drains. Such transistors are the basic elements of modern flash-memory devices. Kinetic parameters of electron transport and spatial current dependencies have been calculated. It is shown that the electron current in transistors with shallow drain flows near the surface. It can produce a high parasitic tunnel current into floating gate | |
| Располагается в коллекциях: | 2021. Квантовая электроника | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 263-265.pdf | 884,28 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.