Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/10471
Заглавие документа: | Моделирование методом Монте-Карло подвижности электронов вблизи стока в короткоканальных МОП-транзисторах с мелкими и глубокими стоками |
Авторы: | Жевняк, О. Г. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2011 |
Издатель: | Материалы конференции ФММН2011 |
Аннотация: | In this paper Monte Carlo calculations of electron mobility in MOSFETs with 0.5, 0.25 and 0.1 m channel length as well as different values of drain depth are considered. The dependencies of electron mobility on drain depth in different section of device substrate are obtained. Results of simulation demonstrate extremum behavior from the changing of drain depth. That may be explained by the redistribution of electric field near the drain region. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/10471 |
Располагается в коллекциях: | Статьи |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
ФММН2011.doc | 86,5 kB | Microsoft Word | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.