Logo BSU

Просмотр Авторы Пилипенко, В. А.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 17 - 36 из 54 < предыдущий   следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2018Зависимость коэффициента усиления биполярного n–p–n-транзистора от параметров легированных областей и содержания технологических примесейОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2019Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от параметров ионно-имплантированных областей эмиттера и базыОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2019Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от параметров ионно-имплантированных областей эмиттера и базыОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2022Зарядовые свойства тонких подзатворных диэлектриков, полученных методом быстрой термообработкиКовальчук, Н. С.; Марудо, Ю. А.; Омельченко, А. А.; Пилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Демидович, С. А.; Колос, В. В.; Анищик, В. М.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.
2020Зондовые зарядочувствительные методы в технологическом контроле производства больших интегральных схемТявловский, К. Л.; Тявловский, А. К.; Гусев, О. К.; Воробей, Р. И.; Жарин, А. Л.; Свистун, А. И.; Пилипенко, В. А.; Петлицкий, А. Н.
2021Изменение оптических параметров кремния после быстрой термической обработкиАнищик, В. М.; Горушко, В. А.; Пилипенко, В. А.; Понарядов, В. В.; Солодуха, В. А.; Омельченко, А. А.
янв-2012Исследование топологии интегральных микросхем методом атомно-силовой микроскопииПилипенко, В. А.; Чижик, С. А.; Понарядов, В. В.; Петлицкая, Т. В.; Кузнецова, Т. А.
2022Исследования электрофизических свойств тонких подзатворных диэлектриков, полученных методом многостадийного быстрого термического отжигаКовальчук, Н. С.; Омельченко, А. А.; Пилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Демидович, С. А.; Колос, В. В.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.
2022Контроль качества полупроводниковых материалов и приборных структур с использованием измерительной установки СКАН-2019Жарин, А. Л.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Воробей, Р. И.; Пантелеев, К. В.; Микитевич, В. А.; Пилипенко, В. А.; Петлицкий, А. Н.
2024Механизм взаимодействия алюминия с поликремнием при формировании омического контакта методами длительной и быстрой термообработокПилипенко, В. А.; Ковальчук, Н. С.; Жигулин, Д. В.; Шестовский, Д. В.; Анищик, В. М.; Понарядов, В. В.
мая-2006Модель термического окисления кремния при быстрой термической обработкеПилипенко, В. А.; Понарядов, В. В.; Вечер, Д. В.; Горушко, В. А.; Петлицкая, Т. В.
2000Оборудование для быстрой термообработки (БТО) в технологии создания СБИСТочицкий, Я. И.; Матюшков, В. Е.; Русецкий, А. М.; Пилипенко, В. А.; Пономарь, В. М.; Людчик, О. Р.
2017Образование высокопоглощающих нано- и микроструктур на поверхности металлов при наносекундном лазерном воздействииБатище, С. А.; Бушук, С. Б.; Пилипенко, В. А.; Татур, Г. А.; Жигулин, Д. В.
2023Образование фиксированного заряда в SiO2, полученным пирогенным окислением кремнияПилипенко, В. А.; Омельченко, А. А.
2017Особенности возникновения структурных дефектов в сильнолегированном Si при диффузии фосфораБеляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Конакова, Р. В.; Кладько, В. П.; Любченко, О. И.; Саченко, А. В.; Сафрюк, Н. В.; Шинкаренко, В. В.; Солодуха, В. А.; Пилипенко, В. А.; Ходин, А. А.; Романец, П. Н.; Кудрик, Я. Я.
янв-2009Особенности лавинного пробоя перехода коллектор - база субмикронного биполярного транзистораПилипенко, В. А.; Понарядов, В. В.; Горушко, В. А.; Сякерский, В. С.; Петлицкая, Т. В.
2008Особенности лавинного пробоя перехода коллектор-база субмикронного биполярного транзистораПилипенко, В. А.; Понарядов, В. В.; Горушко, В. А.; Сякерский, В. С.; Петлицкая, Т. В.
2018Особенности режимов формирования силицида платины при быстрой термообработкеСолодуха, В. А.; Пилипенко, В. А.; Горушко, В. А.
мая-2010Особенности формирования базового диэлектрика при вертикальном масштабировании микросхемПилипенко, В. А.; Понарядов, В. В.; Горушко, В. А.; Сякерский, В. С.; Петлицкая, Т. В.
2015Оценка равномерности нагрева поверхности полупроводниковых пластин при быстрой термической обработкеГорушко, В. А.; Пилипенко, В. А.; Понарядов, В. В.; Петлицкая, Т. В.; Солодуха, В. А.; Шведов, С. В.