Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.bsu.by/handle/123456789/182290
Title: Особенности возникновения структурных дефектов в сильнолегированном Si при диффузии фосфора
Other Titles: The features of structural defects emergence in highly doped Si under phosphorus diffusion / А.Е. Belyaev, N.S. Boltovets, R.V. Konakova, V.P. Kladko, O.I. Ljubchenko, A.V. Sachenko, N.V. Safruk, V.V. Shinkarenko, V.A. Solodukha, V.A. Pilipenko, A.A. Khodin, P.N. Romanets, J.J. Kudrik
Authors: Беляев, А. Е.
Болтовец, Н. С.
Конакова, Р. В.
Кладько, В. П.
Любченко, О. И.
Саченко, А. В.
Сафрюк, Н. В.
Шинкаренко, В. В.
Солодуха, В. А.
Пилипенко, В. А.
Ходин, А. А.
Романец, П. Н.
Кудрик, Я. Я.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2017
Publisher: Минск: Изд. центр БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids: материалы 12-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 19—22 сент. 2017 г. / редкол.: В.В. Углов (отв.ред.) [и др.]. — Минск: Изд. центр БГУ, 2017. — С. 428-430.
Abstract: С помощью метода диффузного рассеяния рентгеновских лучей изучены структурные дефекты, возникающие в сильнолегированном кремнии при диффузии фосфора при Т = 900-970 оС. Установлено, что в процессе диффузии при Т = 900-970 оС в Si формируются дефекты вакансионного и межузельного типов = The structural defects, generated in highly doped silicon under phosphorus diffusion at 900-970 оС, have been investigated using X-rays diffuse scattering technique. It has been established that vacancy-type and interstitial defects are formed under diffusion at this temperature
Description: Секция 6. Современное оборудование и технологии
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/182290
ISBN: 978-985-553-446-5
Appears in Collections:2017. Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
428-430.pdf351,28 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.