Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.bsu.by/handle/123456789/223230
Title: Особенности лавинного пробоя перехода коллектор-база субмикронного биполярного транзистора
Authors: Пилипенко, В. А.
Понарядов, В. В.
Горушко, В. А.
Сякерский, В. С.
Петлицкая, Т. В.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2008
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 9-13
Abstract: Основной тенденцией развития сверхболыиих интегральных схем (СБИС) является увеличение степени их интеграции. Это достигается путем пропорционального мас1ита- бирования, когда имеет место уменыиение как топологических, так и вертикальных раз- меров биполярных микросхем, а именно: глубины базы, эмитгера, толщины диэлектри- ческих, эпитаксиальных и токопроводящих слоев [1-3]. Изменение толщины эпитакси- альной пленки с 1,5 до 1,0 мкм позволяет за счет уменьщения бокового ухода в процессе травления и окисления кремния увеличить степень интефации в 1,3 раза. При уменьще- нии толщины эпитаксиапьной пленки до 0,6 мкм степень интеграции увеличивается в 2 раза с сохранением проектных норм проектирования.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/223230
ISBN: 978-985-518-091-4
Appears in Collections:2008. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
9-13.pdf811,45 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.