Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/4736
Заглавие документа: | Особенности лавинного пробоя перехода коллектор - база субмикронного биполярного транзистора |
Авторы: | Пилипенко, В. А. Понарядов, В. В. Горушко, В. А. Сякерский, В. С. Петлицкая, Т. В. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | янв-2009 |
Издатель: | БГУ |
Библиографическое описание источника: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. - 2009. - N 1. - С. 41-44. |
Аннотация: | Interrelation has been established of the break-down voltage collector – base and the gain ratio of the n–p–n transistor with the impurities distribution profiles in the base area and the epitaxial film. It is shown, that the value of the break-down voltage depends both on the impurity doping modes, epitaxial film thickness and the modes of the fast thermal treatment of the ion-doped layers. = Установлена взаимосвязь пробивного напряжения коллектор – база и коэффициента усиления n−p−n-транзистора с профилями распределения примесей в базовой области и эпитаксиальной пленке. Показано, что величина пробивного напряжения зависит как от режимов легирования примеси, толщины эпитаксиальной пленки, так и от количества процессов быстрой термической обработки ионно-легированных слоев. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/4736 |
ISSN: | 0321-0367 |
Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Располагается в коллекциях: | 2009, №1 (январь) |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
07 ПИЛИПЕНКО.pdf | 381,8 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.