Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257285| Заглавие документа: | Зондовые зарядочувствительные методы в технологическом контроле производства больших интегральных схем |
| Другое заглавие: | Charge-sensitive probe methods in technological control of big integrated circuits production / K. L. Tyavlovsky, A. K. Tyavlovsky, O. K. Gusev, R. I. Vorobey, A. L. Zharin, A. I. Svistun, V. A. Pilipenko, A. N. Petlitsky |
| Авторы: | Тявловский, К. Л. Тявловский, А. К. Гусев, О. К. Воробей, Р. И. Жарин, А. Л. Свистун, А. И. Пилипенко, В. А. Петлицкий, А. Н. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 129-134. |
| Аннотация: | Рассмотрено использование зондовых зарядочувствительных методов на основе сканирующего бесконтактного электрометрического зонда в неразрушающем контроле качества проведения технологических операций обработки полупроводниковых пластин диаметром до 200 мм. Контроль различных параметров поверхности полупроводниковой пластины (времени жизни неосновных носителей заряда, удельное поверхностное сопротивление ионно-легированных и диффузионных слоев) обеспечивается модификацией классического метода сканирующих электрометрических измерений, включающей дополнительные воздействия на образец (полупроводниковую пластину) оптическим излучением различных длин волн. Приведены краткие описания измерительных установок, реализующих разработанные методы измерений. Установки обеспечивают полностью неразрушающий контроль и визуализацию электрофизических параметров поверхности полупроводника и могут использоваться в межоперационном контроле производства больших интегральных схем |
| Аннотация (на другом языке): | New charge-sensitive probe methods for technological control of big integrated circuit production are proposed on a basis of contactless scanning electrometry probe technique. To access different parameters of semiconductor wafer’s surface including minor carrier lifetime and surface resistivity of ion-doped and diffusion layers, a classic scanning charge-sensitive probe technique was modified by augmentation of electrometric measurements with illumination of semiconductor surface at different wavelengths. The proposed methods are implemented in measurement installation designs described in the paper. The described installations provide completely non-destructive testing and visualization of semiconductor surface properties and can be used in the interoperational control of big integrated circuits production |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257285 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 129-134.pdf | 894,87 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.