Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257285| Title: | Зондовые зарядочувствительные методы в технологическом контроле производства больших интегральных схем |
| Other Titles: | Charge-sensitive probe methods in technological control of big integrated circuits production / K. L. Tyavlovsky, A. K. Tyavlovsky, O. K. Gusev, R. I. Vorobey, A. L. Zharin, A. I. Svistun, V. A. Pilipenko, A. N. Petlitsky |
| Authors: | Тявловский, К. Л. Тявловский, А. К. Гусев, О. К. Воробей, Р. И. Жарин, А. Л. Свистун, А. И. Пилипенко, В. А. Петлицкий, А. Н. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2020 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 129-134. |
| Abstract: | Рассмотрено использование зондовых зарядочувствительных методов на основе сканирующего бесконтактного электрометрического зонда в неразрушающем контроле качества проведения технологических операций обработки полупроводниковых пластин диаметром до 200 мм. Контроль различных параметров поверхности полупроводниковой пластины (времени жизни неосновных носителей заряда, удельное поверхностное сопротивление ионно-легированных и диффузионных слоев) обеспечивается модификацией классического метода сканирующих электрометрических измерений, включающей дополнительные воздействия на образец (полупроводниковую пластину) оптическим излучением различных длин волн. Приведены краткие описания измерительных установок, реализующих разработанные методы измерений. Установки обеспечивают полностью неразрушающий контроль и визуализацию электрофизических параметров поверхности полупроводника и могут использоваться в межоперационном контроле производства больших интегральных схем |
| Abstract (in another language): | New charge-sensitive probe methods for technological control of big integrated circuit production are proposed on a basis of contactless scanning electrometry probe technique. To access different parameters of semiconductor wafer’s surface including minor carrier lifetime and surface resistivity of ion-doped and diffusion layers, a classic scanning charge-sensitive probe technique was modified by augmentation of electrometric measurements with illumination of semiconductor surface at different wavelengths. The proposed methods are implemented in measurement installation designs described in the paper. The described installations provide completely non-destructive testing and visualization of semiconductor surface properties and can be used in the interoperational control of big integrated circuits production |
| Description: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257285 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Appears in Collections: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 129-134.pdf | 894,87 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.